பேட்டரி மேலாண்மை அமைப்புகளில் (BMS) BJTகள் மற்றும் MOSFETகளுக்கு இடையிலான வேறுபாடுகள்

1. இருமுனை சந்திப்பு டிரான்சிஸ்டர்கள் (BJTகள்):

(1) அமைப்பு:BJTகள் என்பது மூன்று மின்முனைகளைக் கொண்ட குறைக்கடத்தி சாதனங்கள்: அடிவாய், உமிழ்ப்பான் மற்றும் சேகரிப்பான். அவை முதன்மையாக சமிக்ஞைகளைப் பெருக்க அல்லது மாற்றுவதற்குப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. சேகரிப்பான் மற்றும் உமிழ்ப்பான் இடையே ஒரு பெரிய மின்னோட்ட ஓட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்த அடிவாய்க்கு ஒரு சிறிய உள்ளீட்டு மின்னோட்டம் BJTகளுக்குத் தேவைப்படுகிறது.

(2) BMS இல் செயல்பாடு: In பி.எம்.எஸ்பயன்பாடுகளில், BJTகள் அவற்றின் மின்னோட்ட பெருக்கத் திறன்களுக்குப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. அவை அமைப்பினுள் மின்னோட்ட ஓட்டத்தை நிர்வகிக்கவும் ஒழுங்குபடுத்தவும் உதவுகின்றன, பேட்டரிகள் திறமையாகவும் பாதுகாப்பாகவும் சார்ஜ் செய்யப்பட்டு வெளியேற்றப்படுவதை உறுதி செய்கின்றன.

(3) பண்புகள்:BJTகள் அதிக மின்னோட்ட ஈட்டத்தைக் கொண்டுள்ளன மற்றும் துல்லியமான மின்னோட்டக் கட்டுப்பாடு தேவைப்படும் பயன்பாடுகளில் மிகவும் பயனுள்ளதாக இருக்கும். அவை பொதுவாக வெப்ப நிலைமைகளுக்கு அதிக உணர்திறன் கொண்டவை மற்றும் MOSFETகளுடன் ஒப்பிடும்போது அதிக மின் சிதறலால் பாதிக்கப்படலாம்.

2. உலோக-ஆக்சைடு-குறைக்கடத்தி புல-விளைவு டிரான்சிஸ்டர்கள் (MOSFETகள்):

(1) அமைப்பு:MOSFETகள் மூன்று முனையங்களைக் கொண்ட குறைக்கடத்தி சாதனங்கள்: வாயில், மூலம் மற்றும் வடிகால். அவை மூலத்திற்கும் வடிகால்க்கும் இடையிலான மின்னோட்டத்தின் ஓட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்த மின்னழுத்தத்தைப் பயன்படுத்துகின்றன, இதனால் பயன்பாடுகளை மாற்றுவதில் அவை மிகவும் திறமையானவை.

(2) செயல்பாடுபி.எம்.எஸ்:BMS பயன்பாடுகளில், MOSFETகள் பெரும்பாலும் அவற்றின் திறமையான மாறுதல் திறன்களுக்காகப் பயன்படுத்தப்படுகின்றன. அவை விரைவாக இயக்கவும் அணைக்கவும் முடியும், குறைந்தபட்ச எதிர்ப்பு மற்றும் மின் இழப்புடன் மின்னோட்டத்தின் ஓட்டத்தைக் கட்டுப்படுத்துகின்றன. இது பேட்டரிகளை அதிக சார்ஜ், அதிக வெளியேற்றம் மற்றும் குறுகிய சுற்றுகளிலிருந்து பாதுகாக்க சிறந்ததாக ஆக்குகிறது.

(3) பண்புகள்:MOSFETகள் அதிக உள்ளீட்டு மின்மறுப்பு மற்றும் குறைந்த ஆன்-ரெசிஸ்டன்ஸைக் கொண்டுள்ளன, இதனால் BJTகளுடன் ஒப்பிடும்போது குறைந்த வெப்பச் சிதறலுடன் அவை மிகவும் திறமையானவை. அவை BMS க்குள் அதிவேக மற்றும் உயர்-திறன் மாறுதல் பயன்பாடுகளுக்கு மிகவும் பொருத்தமானவை.

சுருக்கம்:

• BJTகள்அதிக மின்னோட்ட ஈட்டத்தின் காரணமாக துல்லியமான மின்னோட்டக் கட்டுப்பாடு தேவைப்படும் பயன்பாடுகளுக்கு சிறந்தது.
• MOSFETகள்குறைந்த வெப்பச் சிதறலுடன் திறமையான மற்றும் வேகமான மாறுதலுக்கு அவை விரும்பப்படுகின்றன, இதனால் அவை பேட்டரி செயல்பாடுகளைப் பாதுகாப்பதற்கும் நிர்வகிப்பதற்கும் ஏற்றதாக அமைகின்றன.பி.எம்.எஸ்.